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合肥科晶请求促进成长钪酸镝单晶专利有实际作用的削减晶体成长缺点和内应力

来源:火狐游戏    发布时间:2026-01-01 07:21:33

  金融界2024年12月20日音讯,国家知识产权局信息数据显现,合肥科晶资料技能有限公司请求一项名为“一种促进成长钪酸镝单晶的办法”的专利,公开号 CN 119145042 A,请求日期为 2024年9月。

  专利摘要显现,本发明供给一种促进成长钪酸镝单晶的办法,包含以下过程:预备原资料:将质料混合均匀,装入坩埚中;设定成长条件:将装有原资料的坩埚置于高温炉中,设定温度梯度、压力和成长速度;上提拉法成长:在成长过程中,通过上提拉设备将籽晶以稳定速度从熔融质猜中缓慢上提,操控晶体的冷却速率以促进单晶成长;实时称重监控:在上提拉过程中,运用高精度称重设备对正在成长的单晶进行实时称重监控,调理成长参数以坚持单晶质量的稳定性和均匀性;晶体成长优化:与现存技能比较,本发明具有如下的有利作用:通过操控成长速度和温度梯度,本发明可以有实际作用的削减晶体成长过程中因为热应力引起的缺点和内应力,进步晶体的完整性和机械强度。

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